一种浅沟槽隔离结构及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种浅沟槽隔离结构的制造方法，包括：在半导体衬底上依次生长隧穿氧化硅层、多晶硅浮栅层、氮化硅层，通过光刻和刻蚀形成浅沟槽；在浅沟槽中形成第一氧化层；在第一氧化层上沉积第二氧化层；对浅沟槽进行填充，填充后进行退火，退火工艺包括水汽退火。在沟槽中形成第一氧化层之后，又在第一氧化层上沉积第二氧化层，沉积的第二氧化层能够在水汽退火阶段抑制水汽渗透进入隧穿氧化层和多晶硅浮栅层的界面，进一步抑制水汽和多晶硅浮栅层反应生成二氧化硅，达到了防止隧穿氧化层增厚的目的，同时还能兼顾水汽退火的填缝效果。
基本信息
专利标题 ：
一种浅沟槽隔离结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267630A
申请号 ：
CN202111497529.5
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王壮壮杜怡行杨耀华顾林王虎
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘昌荣
优先权 ：
CN202111497529.5
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762 H01L27/11517
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/762
申请日 : 20211209
申请日 : 20211209
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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