隔离结构及其制造方法
公开
摘要
本发明提供一种沟渠隔离结构及其制造方法。隔离结构的制造方法包括：在衬底的表面形成沟渠；在衬底上形成具有连通于沟渠的开口的掩模图案；在彼此连通的开口与沟渠中填入第一隔离材料层，其中第一隔离材料层的表面定义出第一凹陷；将第二隔离材料层填入第一凹陷；部分移除第一与第二隔离材料层，以形成第二凹陷；执行第一斜向离子植入工艺，以至少在第一隔离材料层中形成第一破坏区；执行第二斜向离子植入工艺，以至少在第一隔离材料层中形成第二破坏区；进行去耦合等离子处理，以将第一与第二破坏区的一部分转变为相对于破坏区而具有刻蚀选择性的保护层；以及移除破坏区。
基本信息
专利标题 ：
隔离结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582792A
申请号 ：
CN202011375473.1
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许哲睿童盈辅吕俊昇李沐霖
申请人 ：
华邦电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台中市大雅区科雅一路8号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
宋兴
优先权 ：
CN202011375473.1
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762 H01L21/3115 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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