接触结构制造方法
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摘要
一种接触结构的制造方法，包括形成第一晶体管及第二晶体管于基板上，其中第一晶体管及第二晶体管共享源极/漏极区，源极/漏极区形成于第一晶体管的第一栅极及第二晶体管的第二栅极之间，形成第一开口于层间介电层中，且于第一栅极及第二栅极间，沉积蚀刻停止层于第一开口中，且于层间介电层的顶表面上，沉积介电层于蚀刻停止层上，对介电层施行第一蚀刻工艺，直到露出蚀刻停止层，对蚀刻停止层进行第二蚀刻工艺，直到移除蚀刻停止层的露出部份及介电层的部份。
基本信息
专利标题 ：
接触结构制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108122845A
申请号 ：
CN201710402860.1
公开（公告）日 ：
2018-06-05
申请日 ：
2017-06-01
授权号 ：
CN108122845B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
徐宛萱王怡琇陈彦兆张展玮汪于仕吕信谚邱意为
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
张福根
优先权 ：
CN201710402860.1
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L27/088
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2019-12-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8234
申请日 : 20170601
申请日 : 20170601
2018-06-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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