接触孔的制造方法
授权
摘要
本发明公开了一种接触孔的制造方法，包括步骤：步骤一、形成层间膜。步骤二、测量出各区域的层间膜的厚度。步骤三、根据层间膜的厚度值调整对应区域的接触孔的光刻定义线宽，以补偿层间膜的厚度对刻蚀后的接触孔的开口线宽的影响。步骤四、进行光刻工艺。步骤五、进行刻蚀工艺形成所述接触孔的开口。本发明能消除层间膜的厚度对接触孔的线宽的影响，能使各区域刻蚀后的接触孔的开口线宽满足要求值，有利于器件尺寸等比例缩小并能提高缩小后的半导体器件的电学性能和良率。
基本信息
专利标题 ：
接触孔的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110867409A
申请号 ：
CN201911162973.4
公开（公告）日 ：
2020-03-06
申请日 ：
2019-11-25
授权号 ：
CN110867409B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
董献国
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭四华
优先权 ：
CN201911162973.4
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2020-03-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20191125
申请日 : 20191125
2020-03-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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