开口及接触窗的制造方法
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摘要
一种开口及接触窗的制造方法。在开口的制造过程中，在于介电层上形成光致抗蚀剂层以定义开口图案之前，先对裸露的介电层表面进行一处理步骤以形成一膜层，可防止因介电材料成分外逸而与光致抗蚀剂层产生反应，进而造成显影不完全的问题。另一方面，在形成接触窗的制造过程中，在接触窗开口表面形成一阻障层之前，先对裸露的介电层表面进行一处理步骤以形成一膜层，可防止因介电材料成分外逸而与阻障层产生反应，进而使阻障层产生缺陷的问题。
基本信息
专利标题 ：
开口及接触窗的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979774A
申请号 ：
CN200510129715.8
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑懿芳周孝邦
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510129715.8
主分类号 ：
H01L21/311
IPC分类号 ：
H01L21/311 H01L21/768 H01L21/28
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/311
绝缘层的刻蚀
法律状态
2009-08-12 ：
授权
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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