制作开口与接触孔的方法
授权
摘要
首先提供一半导体衬底，且上述半导体衬底由下而上依序包括一蚀刻停止层与至少一介电层。接着图案化上述介电层以于上述介电层中形成多个开口，并暴露出位于上述开口底部的蚀刻停止层。随后形成一介电薄膜，覆盖于上述介电层的表面、上述开口的内壁与暴露出的蚀刻停止层上。最后去除位于上述介电层以及上述蚀刻停止层上的介电薄膜。
基本信息
专利标题 ：
制作开口与接触孔的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1953142A
申请号 ：
CN200510113870.0
公开（公告）日 ：
2007-04-25
申请日 ：
2005-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曹博昭黄昌琪陈铭聪
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510113870.0
主分类号 ：
H01L21/31
IPC分类号 ：
H01L21/31 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
法律状态
2009-03-11 ：
授权
2007-06-13 ：
实质审查的生效
2007-04-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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