填充开口、介层开口与沟槽的方法
授权
摘要
本发明提供一种填充开口、介层开口与沟槽的方法，具体涉及一种等向性扩散填充方法，对一结构进行热流处理，此结构包括光致抗蚀剂层与热流材料层，以于其间产生一交联层，以减少疏－密介层图案区间的阶层高度差，以使随后的沟槽制程最佳化且减化制程步骤。
基本信息
专利标题 ：
填充开口、介层开口与沟槽的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790627A
申请号 ：
CN200510125252.8
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
严永松陈桂顺林嘉祥林嘉祺林宗宪
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200510125252.8
主分类号 ：
H01L21/31
IPC分类号 ：
H01L21/31 H01L21/311 H01L21/306 H01L21/768 H01L21/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
法律状态
2008-03-12 ：
授权
2006-08-23 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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