一种介电质层结构

专利权的终止

摘要

本实用新型涉及一种介电质层结构，其特征在于，包括：衬底；位于衬底之上的金属线；位于该衬底及该金属线之上的第一层介电质层，作为阻挡层；位于该第一层介电质之上的第二层介电质层；位于该第二层介电质层之上的第三层介电质层，该第三层介电质层的表面通过化学机械研磨工艺达到表面的平坦化；以及位于该第三层介电质层之上的氧化物薄膜。采用本实用新型的结构，可以解决在CMP研磨过程可能出现的刮痕问题而引起的金属连线问题，补偿调整介电质层的厚度，减少晶片与晶片之间的厚度差异。

基本信息

专利标题：

一种介电质层结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820140305.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-10-13

授权号：

CN201278347Y

授权日：

2009-07-22

发明人：

于佰华

申请人：

和舰科技(苏州)有限公司

申请人地址：

215025江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号

代理机构：

北京连和连知识产权代理有限公司

代理人：

屈小春

优先权：

CN200820140305.2

主分类号：

H01L23/522

IPC分类号：

H01L23/522