半导体装置及形成辅助介层窗的方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明提供一种半导体装置及形成辅助介层窗的方法。一基底上形成有一介电层。一双镶嵌结构，嵌入于介电层中且填有一导电材料。一辅助介层窗结构，嵌入于介电层中且填有一非导电材料，其中辅助介层窗结构包括至少二个填有非导电材料的辅助介层窗，且分别邻近于双镶嵌结构的二侧。本发明所述半导体装置及形成辅助介层窗的方法，针对具有不同间距的许多介层洞建立一相似的环境，以降低介层洞邻近效应及增加制程容许度。

基本信息

专利标题：

半导体装置及形成辅助介层窗的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1838408A

申请号：

CN200610002352.6

公开（公告）日：

2006-09-27

申请日：

2006-01-26

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

黄坤成曾焕棋游志成刘冠妙陈宗元王齐阳蔡亭林黄思嘉

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：

刘新宇

优先权：

CN200610002352.6

主分类号：

H01L23/522

IPC分类号：

H01L23/522 H01L21/768

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/52

用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置

H01L23/522

包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的

法律状态

2021-01-22 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 23/522
登记生效日 : 20210111
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 台湾积体电路制造股份有限公司
变更后权利人 : 微软技术许可有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
变更后权利人 : 美国华盛顿州

2008-03-05 ：

授权

2006-11-22 ：

实质审查的生效

2006-09-27 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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