半导体装置的层间绝缘膜的形成方法
专利权的终止
摘要
本发明的目的在于通过遮断与硫酸沸液及大气中的原子之间的反应，减轻来自外部的冲击，防止高浓度BPSG的破坏，从而提供一种在低温下良好的半导体装置的绝缘膜形成方法。本发明包括下面的步骤：在形成元件的半导体基底上沉积含有高浓度的硼元素及磷元素的绝缘膜，在上述的沉积绝缘膜的表面使用等离子进行表面处理，以及在低温下进行回流处理。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的层间绝缘膜的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1073551A
申请号 ：
CN92112536.4
公开（公告）日 ：
1993-06-23
申请日 ：
1992-10-29
授权号 ：
CN1028817C
授权日 ：
1995-06-07
发明人 ：
金昶圭洪昌基郑佑仁安容彻
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
范本国
优先权 ：
CN92112536.4
主分类号 ：
H01L21/31
IPC分类号 ：
H01L21/31 H01L21/3105 H01L21/314
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
法律状态
2012-12-26 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101371128072
IPC(主分类) : H01L 21/31
专利号 : ZL921125364
申请日 : 19921029
授权公告日 : 19950607
期满终止日期 : 20121029
号牌文件序号 : 101371128072
IPC(主分类) : H01L 21/31
专利号 : ZL921125364
申请日 : 19921029
授权公告日 : 19950607
期满终止日期 : 20121029
2002-06-12 ：
其他有关事项
1995-06-07 ：
授权
1993-06-23 ：
公开
1993-06-09 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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