具有不同晶向硅层的绝缘体上硅半导体装置以及形成该绝缘体上...
授权
摘要
本发明提供一种包括具有第一晶向的衬底及在衬底上的绝缘层的半导体装置。在绝缘层上形成多个硅层。第一硅层包括具有第一晶向的硅而第二硅层包括具有第二晶向的硅。此外，本发明又提供一种方法以形成设有包括其上具有硅层的衬底及插置在衬底与硅层间的第一绝缘层的绝缘体上硅结构的半导体装置。通过移除硅层及第一绝缘层的一部分以曝露出衬底层的一部分而在绝缘体上硅结构的第一区域形成开孔。在此开孔中生长选择性外延硅。在生长于开孔中的硅中形成第二绝缘层以在开孔中生长的硅与衬底之间设置绝缘层。
基本信息
专利标题 ：
具有不同晶向硅层的绝缘体上硅半导体装置以及形成该绝缘体上硅半导体装置的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101044621A
申请号 ：
CN200580035898.5
公开（公告）日 ：
2007-09-26
申请日 ：
2005-10-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·M·韦特J·奇克
申请人 ：
先进微装置公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
戈泊
优先权 ：
CN200580035898.5
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L21/84 H01L21/762
相关图片
法律状态
2009-04-08 ：
授权
2007-11-21 ：
实质审查的生效
2007-09-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN100477235C.PDF
PDF下载
2、
CN101044621A.PDF
PDF下载
