硅或含硅材料中的超薄掩埋绝缘体
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种用于形成超薄掩埋氧化物层的方法，包括步骤：在含Si衬底上形成含Si的第一外延层，其具有约10到约300埃的厚度；形成含硅的第二外延层，其具有约100埃到约1微米的厚度；以及在含氧气氛中在1200℃至1400℃的温度退火所述衬底。本发明克服了退火期间掩埋氧化物破裂成氧化物岛的问题。
基本信息
专利标题 ：
硅或含硅材料中的超薄掩埋绝缘体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1776894A
申请号 ：
CN200510124801.X
公开（公告）日 ：
2006-05-24
申请日 ：
2005-11-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈自强伯纳德·S·迈耶森德文德拉·K·萨达纳
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李晓舒
优先权 ：
CN200510124801.X
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2012-01-25 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101175709693
IPC(主分类) : H01L 21/762
专利号 : ZL200510124801X
申请日 : 20051115
授权公告日 : 20080402
终止日期 : 20101115
号牌文件序号 : 101175709693
IPC(主分类) : H01L 21/762
专利号 : ZL200510124801X
申请日 : 20051115
授权公告日 : 20080402
终止日期 : 20101115
2008-04-02 ：
授权
2006-07-19 ：
实质审查的生效
2006-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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