用于沉积含硅材料的沉积方法和设备
公开
摘要
本公开涉及在包括间隙的衬底上沉积含硅材料的方法，其中该方法包括在反应室中提供衬底并在衬底上沉积含碳抑制层，以及在衬底上沉积含硅材料。沉积抑制层包括在反应室中供应包含碳的碳前体，并在反应室中供应第一等离子体，以由碳前体形成第一反应物质，用于在衬底上形成抑制层。抑制层优先沉积在间隙顶部附近。本公开还涉及形成结构的方法、制造器件的方法以及半导体处理设备。
基本信息
专利标题 ：
用于沉积含硅材料的沉积方法和设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114381708A
申请号 ：
CN202111149992.0
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘泽铖V.波雷T.P.蒂内尔Y.徐M.罗霍
申请人 ：
ASMIP私人控股有限公司
申请人地址 ：
荷兰阿尔梅勒
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
焦玉恒
优先权 ：
CN202111149992.0
主分类号 ：
C23C16/24
IPC分类号 ：
C23C16/24 C23C16/32 C23C16/34 C23C16/40 C23C16/455 C23C16/505 H01L21/762
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/24
仅沉积硅
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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