多晶硅还原气相沉积方法
实质审查的生效
摘要
一种使用气相沉积炉进行的多晶硅还原气相沉积方法，该方法包括对气相沉积炉的所述第一电极和所述第二电极通电，以将气相沉积炉的硅芯加热到气相沉积反应温度，并且经由所述喷嘴将混合工艺气体喷入所述炉膛中。其中，该气相沉积炉的电极中设有贯穿电极延伸的气体通道。在多晶硅沉积过程中，通过该气体通道将附加气体通入硅芯内部。其中，附加气体包括氢气。该多晶硅还原气相沉积方法能够提高硅的生长速率，并且还减少能耗。
基本信息
专利标题 ：
多晶硅还原气相沉积方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114314595A
申请号 ：
CN202111670110.5
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
严钧许倍强李志文唐立星
申请人 ：
山东豪迈机械制造有限公司
申请人地址 ：
山东省潍坊市高密市经济开发区康成大街5655号
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
朱立鸣
优先权 ：
CN202111670110.5
主分类号 ：
C01B33/035
IPC分类号 ：
C01B33/035
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
硅
C01B33/021
制备
C01B33/027
使用除二氧化硅或含二氧化硅物料以外的气态或汽化的硅化合物的分解或还原
C01B33/035
在存在硅、碳或耐熔金属的热丝情况下，或在存在热硅棒情况下，用气态或汽化的硅化合物的分解或还原
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 33/035
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
