直接沉积多晶硅的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种用以在等离子辅助化学气相沉积(CVD)系统中形成多晶硅膜的方法，该系统包括其中设置第一电极及与该第一电极隔开的第二电极的室，该方法包含在该第二电极上提供基板，该基板包括暴露至第一电极的表面；施加第一功率至第一电极，用于在该室内产生等离子；在多晶硅膜的成核阶段期间施加第二功率至该第二电极，用于离子轰击该基板的表面，且将侵蚀气体流入该室中。
基本信息
专利标题 ：
直接沉积多晶硅的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1962936A
申请号 ：
CN200610064871.5
公开（公告）日 ：
2007-05-16
申请日 ：
2006-03-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王亮棠陈麒麟彭逸轩张荣芳黄志仁
申请人 ：
财团法人工业技术研究院
申请人地址 ：
台湾省新竹县竹东镇中兴路4段195号
代理机构 ：
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 ：
胡光星
优先权 ：
CN200610064871.5
主分类号 ：
C23C16/513
IPC分类号 ：
C23C16/513 C23C16/24 H01L21/20
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
C23C16/513
采用等离子流
法律状态
2009-11-04 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-11-21 ：
实质审查的生效
2007-05-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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