硅烷进气装置及多晶硅沉积炉
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本申请提供了硅烷进气装置及多晶硅沉积炉，其中，硅烷进气装置设置于多晶硅沉积炉内，所述进气装置包括至少一根进气管，所述进气管包括封闭端与接口端，所述封闭端位于所述沉积炉内，所述接口端与硅烷进气口相连通，所述进气管沿所述进气管的延伸方向设有多个均匀间隔设置的排气孔。本申请提供的硅烷进气装置及多晶硅沉积炉，能够实现硅烷的均匀分布，避免进气管堵塞。
基本信息
专利标题 ：
硅烷进气装置及多晶硅沉积炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021751638.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-20
授权号 ：
CN212800530U
授权日 ：
2021-03-26
发明人 ：
杨楠楠金井升
申请人 ：
浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市海宁市袁花镇工业功能区袁溪路陆曼司桥西
代理机构 ：
北京汇思诚业知识产权代理有限公司
代理人 ：
钱娴静
优先权 ：
CN202021751638.6
主分类号 ：
C23C16/24
IPC分类号 ：
C23C16/24 C23C16/448
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/24
仅沉积硅
法律状态
2021-08-27 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : C23C 16/24
变更事项 : 专利权人
变更前 : 浙江晶科能源有限公司
变更后 : 浙江晶科能源有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇工业功能区袁溪路陆曼司桥西
变更后 : 314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇工业功能区袁溪路陆曼司桥西
变更事项 : 专利权人
变更前 : 晶科能源有限公司
变更后 : 晶科能源股份有限公司
变更事项 : 专利权人
变更前 : 浙江晶科能源有限公司
变更后 : 浙江晶科能源有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇工业功能区袁溪路陆曼司桥西
变更后 : 314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇工业功能区袁溪路陆曼司桥西
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变更前 : 晶科能源有限公司
变更后 : 晶科能源股份有限公司
2021-03-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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