进气装置及低压化学气相沉积设备

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种进气装置，位于炉管内，包括主管，至少两个与外部气路相连的分管，以及连接主管与各所述分管的连接部分，其中，所述连接部分位于远离所述炉管的加热装置、接近炉管开口的位置。另外，本实用新型还公开了一种采用该进气装置的低压化学气相沉积设备，采用本实用新型的进气装置及低压化学气相沉积设备，可以避免通入的各反应气体在高温的作用下发生分解而产生杂质颗粒，有效地减少了设备中的颗粒污染源，提高了薄膜的形成质量。

基本信息

专利标题：

进气装置及低压化学气相沉积设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720076736.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-10-25

授权号：

CN201162044Y

授权日：

2008-12-10

发明人：

赵星李春龙孙建军宋大伟李修远

申请人：

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

逯长明

优先权：

CN200720076736.2

主分类号：

C23C16/448

IPC分类号：

C23C16/448 C23C16/34

相关图片

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C23

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制

C23C

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆

C23C16/00

通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺

C23C16/44

以镀覆方法为特征的

C23C16/448

产生反应气流的方法，例如通过母体材料的蒸发或升华

法律状态

2017-11-24 ：

专利权的终止

专利权有效期届满IPC(主分类) : C23C 16/448
申请日 : 20071025
授权公告日 : 20081210

2012-12-12 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101485743172
IPC(主分类) : C23C 16/448
专利号 : ZL2007200767362
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号
登记生效日 : 20121113

2008-12-10 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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