一种低温低压化学气相沉积反应腔
授权
摘要
本实用新型公开了一种低温低压化学气相沉积反应腔，包括顶盖、固定底板和主体槽，所述主体槽的顶端设置有顶盖，所述主体槽的底端安装有固定底板，所述第一反应腔与第二反应腔内部的一侧设置有密封结构。本实用新型通过将工作槽先进行固定，然后将伸缩杆与支撑柱相互连接固定，紧接着把拉伸杆进行拉伸，让伸缩杆先做横向运动，紧接着让滑动块在滑轨的内部做竖向滑动，由于工作槽的内部设置有多个限位块，因此在调节伸缩杆的过程中，可以使得伸缩杆的末端从限位块的夹缝中脱离，以至于让伸缩杆的纵向距离发生改变，从而使得整体的竖向距离可以进行伸缩调节，提高了该装置整体的适用性，使其可以适用于大多数的工作环境。
基本信息
专利标题 ：
一种低温低压化学气相沉积反应腔
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022059005.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-18
授权号 ：
CN213232483U
授权日 ：
2021-05-18
发明人 ：
张建锐曹峰峰
申请人 ：
盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市鄞州区云龙镇石桥村
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202022059005.5
主分类号 ：
C23C16/00
IPC分类号 ：
C23C16/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
法律状态
2021-05-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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