化学气相沉积反应炉及其设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种化学气相沉积反应炉，包括：炉壁、晶舟、支撑件、升降装置、盖板和挡片；所述炉壁围成反应室和气体出口，下部为所述反应室，上部为所述气体出口；所述气体出口的直径小于反应室；所述反应室内容纳有晶舟和支撑件；所述晶舟固定在支撑件上，所述支撑件固定在盖板上，所述升降装置可驱动所述盖板上下升降，打开或关闭所述化学气相沉积反应炉的下部开口；所述挡片设置在反应室的顶部，靠近气体出口的下部。
基本信息
专利标题 ：
化学气相沉积反应炉及其设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122574538.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-26
授权号 ：
CN216712232U
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
陈琪康俊龙成鑫华
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭立
优先权 ：
CN202122574538.1
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-06-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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