低压化学气相淀积反应系统

专利权的终止

摘要

一种LPCVD反应系统，包含提供反应气体的气体源、流量控制器、气体喷放装置以及反应腔室，所述气体源、流量控制器和气体喷放装置通过气体管路顺序相接；所述反应气体由所述气体源流出，经由所述流量控制器及气体喷放装置进入所述反应腔室；所述反应系统还包含压力控制器，所述压力控制器与连接气体源和流量控制器的气体管路以及连接流量控制器和气体喷放装置的气体管路分别相连；所述流量控制器为低压流量控制器。可增强进入其内的流量控制器的氟化氢气体的稳定性。

基本信息

专利标题：

低压化学气相淀积反应系统

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720144353.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-12-13

授权号：

CN201136892Y

授权日：

2008-10-22

发明人：

朴松源白杰何有丰唐兆云

申请人：

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

李丽

优先权：

CN200720144353.4

主分类号：

C23C16/44

IPC分类号：

C23C16/44 C23C16/52

相关图片

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C23

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制

C23C

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆

C23C16/00

通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺

C23C16/44

以镀覆方法为特征的

法律状态

2018-01-23 ：

专利权的终止

专利权有效期届满IPC(主分类) : C23C 16/44
申请日 : 20071213
授权公告日 : 20081022

2013-01-09 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号
登记生效日 : 20121211
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101493598139
IPC(主分类) : C23C 16/44
专利号 : ZL2007201443534
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
变更事项 : 地址

2008-10-22 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

CN201136892Y.PDF

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