等离子体化学气相淀积装置
专利权的终止
摘要
本实用新型公开了一种等离子体化学气相淀积装置,该装置包括微波功率源及传输部件101、微波谐振腔体102、工艺室与样品台部件103、真空部件104、气路部件105、自动传片部件106、控制部件107,其中,微波谐振腔体内设有等间隔排列的磁场装置306,样品台部件设在工艺室内部,微波谐振腔体、真空部件、自动传片部件分别与工艺室809相连,微波功率源及传输部件与微波谐振腔体相连,控制部件通过接口分别控制微波功率源及传输部件、工艺室与样品台部件、真空部件、气路部件的工作状态,完成薄膜的淀积工艺过程。本实用新型具有大面积均匀性好、淀积速率高、自动化程度和生产效率高、可靠性好、功耗小、稳定性和重复性好的优点,可用作制备微电子薄膜的设备。
基本信息
专利标题 :
等离子体化学气相淀积装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200720032642.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2007-08-31
授权号 :
CN201121209Y
授权日 :
2008-09-24
发明人 :
杨银堂周端柴常春李跃进刘毅汪家友付俊兴俞书乐吴振宇
申请人 :
西安电子科技大学
申请人地址 :
710065陕西省西安市太白南路2号
代理机构 :
陕西电子工业专利中心
代理人 :
王品华
优先权 :
CN200720032642.5
主分类号 :
C23C16/511
IPC分类号 :
C23C16/511 C23C16/52
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
C23C16/511
采用微波放电
法律状态
2017-09-26 :
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101749621000
IPC(主分类) : C23C 16/511
专利号 : ZL2007200326425
申请日 : 20070831
授权公告日 : 20080924
终止日期 : 无
号牌文件序号 : 101749621000
IPC(主分类) : C23C 16/511
专利号 : ZL2007200326425
申请日 : 20070831
授权公告日 : 20080924
终止日期 : 无
2008-09-24 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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