一种用于化学气相淀积的气体导入装置
专利权的终止
摘要

本实用新型提出了一种用于化学气相淀积的气体导入装置。所述气体导入装置呈环状,通常放置在化学气相淀积反应器反应腔的上部外周边。该气体导入装置由一个或多个气体导入单元组成,可以实现多股气流由化学气相淀积反应器圆柱形反应腔的外围,沿平行于化学气相淀积反应器圆柱形反应腔内水平放置的衬底载盘表面或与所述衬底载盘表面成一定夹角的径向方向,由外向内导入反应腔内;所述气体导入装置具结构简单,操作方便,制造和使用成本低等优点,适用于大直径化学气相淀积反应器反应腔。

基本信息
专利标题 :
一种用于化学气相淀积的气体导入装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820134161.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-09-10
授权号 :
CN201313934Y
授权日 :
2009-09-23
发明人 :
李刚
申请人 :
李刚
申请人地址 :
518055广东省深圳市南山区西丽镇留仙大道东南国丽城花园5栋L1002
代理机构 :
深圳市顺天达专利商标代理有限公司
代理人 :
林俭良
优先权 :
CN200820134161.X
主分类号 :
C23C16/455
IPC分类号 :
C23C16/455  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2015-11-04 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101632310631
IPC(主分类) : C23C 16/455
专利号 : ZL200820134161X
申请日 : 20080910
授权公告日 : 20090923
终止日期 : 20140910
2009-09-23 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN201313934Y.PDF
PDF下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332