化学蒸汽淀积
被视为撤回的申请
摘要
在半导体基片上淀积膜或涂层的化学蒸汽淀积设备。将基片固定在气密反应器内并加热到预定反应温度。一种或几种反应蒸汽被送入置于反应器内的有许多开孔的多支管并经开孔均匀分布于基片附近，蒸汽便在基片表面反应并淀积一层膜或涂层。一根或多根冷却管围在多支管周围，保持多支管温度至少低于反应温度，使蒸汽不过早在多支管内反应。从而阻止膜或涂层在多支管内形成并有足够的未反应蒸汽供给基片，以便在基片上生成满意的涂层或膜。
基本信息
专利标题 ：
化学蒸汽淀积
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85109048A
申请号 ：
CN85109048
公开（公告）日 ：
1986-11-05
申请日 ：
1985-11-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
盖伊·布里恩理查德·克劳·蒂尔爱德华·C·D·达沃尔拉索罗·索尔吉米
申请人 ：
米特尔公司
申请人地址 ：
加拿大安大略省卡拿达·邮箱13089号
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
李雒英
优先权 ：
CN85109048
主分类号 ：
C23C16/00
IPC分类号 ：
C23C16/00 C23C16/44
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
法律状态
1989-03-08 ：
被视为撤回的申请
1986-11-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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