一种双层结构的低压化学蒸汽淀积外延炉管装置
被视为撤回的申请
摘要
本发明属于电子工业中制备集成电路及其它半导体器件的薄膜工艺设备。在外延工艺中，由于石英管与硅或其它外延物质的热膨胀系数不同，在高温、低压下容易造成外延石英炉管的损裂。本发明采用双层结构炉管，即外管用耐高温且密封性能良好的材料，内管用耐高温且对半导体外延片的性能不产生严重影响的材料做成。可将LPCVD薄膜技术应用到外延中来，可以达到提高外延的生产效率，降低生产成本，改善外延层的厚度与掺杂均匀性。
基本信息
专利标题 ：
一种双层结构的低压化学蒸汽淀积外延炉管装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85100531A
申请号 ：
CN85100531
公开（公告）日 ：
1986-08-20
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王季陶张世理
申请人 ：
复旦大学
申请人地址 ：
上海市邯郸路220号
代理机构 ：
复旦大学专利事务所
代理人 ：
庄杏凤
优先权 ：
CN85100531
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 H01L21/365
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
1988-10-19 ：
被视为撤回的申请
1986-08-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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