一种淀积设备
授权
摘要
本申请实施例公开了一种淀积设备，该设备包括：反应腔室、磁场产生装置和电场产生装置；磁场产生装置用于在反应腔室内产生交流磁场，电场产生装置用于在反应腔室内产生电场，使得进入反应腔室内的等离子体在该交流磁场和该电场作用下对晶圆进行淀积和溅射；其中，电场产生装置对应晶圆的第二区域产生的电场强度大于其对应晶圆的第一区域产生的电场强度，晶圆的第二区域包围其第一区域，从而通过增强电场产生装置对应晶圆的第二区域产生的电场强度，来增强对晶圆的第二区域对应的等离子体的吸引力，进而提高等离子体对应晶圆的第二区域的溅射能力，改善淀积设备对应晶圆的第二区域的沟槽填充效果。
基本信息
专利标题 ：
一种淀积设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122173268.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-08
授权号 ：
CN216614844U
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
张齐涂飞飞詹昶王新胜
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
尹秀
优先权 ：
CN202122173268.3
主分类号 ：
C23C16/50
IPC分类号 ：
C23C16/50 C23C14/35 H01L21/203 H01L21/205
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
法律状态
2022-05-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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