透明导电膜淀积设备、用于多层透明导电膜的连续形成的膜淀积...
专利申请权、专利权的转移
摘要

节省原料并增加膜淀积速度,同时保持膜的均匀度和较高的膜质量。提供一种用于多层透明导电膜的连续形成的膜淀积设备,其包括:基板附着部分;装料部分,在此执行抽空;多层淀积处理部分,其包括两个或更多淀积处理部分,用于通过在汽相下对有机金属化合物(乙二酸锌)、乙硼烷和水进行反应,利用MOCVD方法在基板上形成透明导电膜;基板取出部分;基板分离部分;以及定位器返回部分,在这里将基板定位器返回到基板附着部分。在将基板顺序地移动通过这些部分的同时接连地执行膜淀积。每个淀积处理部分设有用于喷射有机金属化合物、乙二酸锌和水的喷管以及设有用于对该喷管冷却的冷却机构。

基本信息
专利标题 :
透明导电膜淀积设备、用于多层透明导电膜的连续形成的膜淀积设备及其形成方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101107695A
申请号 :
CN200680002912.6
公开(公告)日 :
2008-01-16
申请日 :
2006-01-20
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
田中良明
申请人 :
昭和砚壳石油株式会社
申请人地址 :
日本东京
代理机构 :
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 :
梁晓广
优先权 :
CN200680002912.6
主分类号 :
H01L21/205
IPC分类号 :
H01L21/205  C23C16/40  C23C16/455  C23C16/46  H01B13/00  H01L51/42  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积,例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的,即化学沉积
法律状态
2015-03-18 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101712407738
IPC(主分类) : H01L 21/205
专利号 : ZL2006800029126
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 昭和砚壳石油株式会社
变更后权利人 : 太阳能先锋株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 日本东京
登记生效日 : 20150217
2011-11-16 :
授权
2008-03-05 :
实质审查的生效
2008-01-16 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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