磁约束电弧汽相淀积的方法和设备
专利申请的视为撤回
摘要
磁约束电弧汽相淀积的方法和设备涉及电弧汽相淀积技术领域。本发明解决了阴极刻蚀均匀；工作室内放电稳定；基片镀膜均匀的技术问题。本发明的主要技术特征是：阳极呈筒状或钟罩形，阴极呈柱形，它们之间同轴放置，长度基本一致，基片位于阳极和阴极之间，在阳极和阴极之间的区城内施加一运动的磁场，用来约束和移动阴极表面上的弧斑，为了防止息弧，在阴极两端处施加了一个恒定磁场和阻挡壁。这种方法和设备可用于TiN膜的制备，也可用于制备其它膜。
基本信息
专利标题 ：
磁约束电弧汽相淀积的方法和设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1069776A
申请号 ：
CN91105729.3
公开（公告）日 ：
1993-03-10
申请日 ：
1991-08-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘维一
申请人 ：
南开大学
申请人地址 ：
300071天津市卫津路94号
代理机构 ：
南开大学专利事务所
代理人 ：
孙克忱
优先权 ：
CN91105729.3
主分类号 ：
C23C14/32
IPC分类号 ：
C23C14/32 C23C14/35
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/32
爆炸法；蒸发及随后的气化物电离法
法律状态
1994-10-26 ：
专利申请的视为撤回
1993-03-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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