用于气相淀积的方法和装置
被视为撤回的申请
摘要
一种气相淀积的方法，包括以现场监测的方法测试半导体薄膜的生长。根据本发明，入射光束在几乎垂直于生长膜表面的方向上，照射到生长膜的表面。膜的生长参数能够由膜表面反射光变化测试出来。根据测出的生长参数，可以反馈控制气相淀积室中的生长条件。
基本信息
专利标题 ：
用于气相淀积的方法和装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87102726A
申请号 ：
CN87102726
公开（公告）日 ：
1987-12-16
申请日 ：
1987-02-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
河合弘治今永俊治长谷伊知郎金子邦雄渡部尚三
申请人 ：
索尼公司
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
杨丽琴
优先权 ：
CN87102726
主分类号 ：
C23C16/52
IPC分类号 ：
C23C16/52
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/52
镀覆工艺的控制或调整
法律状态
1989-12-06 ：
被视为撤回的申请
1987-12-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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