淀积碳的微波增强化学气相淀积方法
专利权的终止(专利权有效期届满)
摘要
本发明涉及用化学汽相淀积(CVD)法在基片上淀积含氮的碳质薄膜。将基片放入反应室，经抽真空，然后输入含碳的生产气体和含氮的添加气体到反应室中，并在0.1-300乇的压强下，在反应室加上能产生适宜的微波能量和磁场强度，就可在基片上淀积一层金刚石或金刚石状碳(DLC)薄膜。这种薄膜的硬度高，而且耐磨性和熔点高。
基本信息
专利标题 ：
淀积碳的微波增强化学气相淀积方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN88101061A
申请号 ：
CN88101061.8
公开（公告）日 ：
1988-09-07
申请日 ：
1988-02-24
授权号 ：
CN1036078C
授权日 ：
1997-10-08
发明人 ：
山崎舜平
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县厚木市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN88101061.8
主分类号 ：
C23C16/26
IPC分类号 ：
C23C16/26 C23C16/48
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/26
仅沉积碳
法律状态
2009-02-11 ：
专利权的终止(专利权有效期届满)
2002-04-24 ：
其他有关事项
1997-10-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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