高密度等离子体增强化学气相淀积与刻蚀设备

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种高密度等离子体增强化学气相淀积与刻蚀设备。它包括真空室(8)和其内置有的电极，以及与真空室(8)相连通的进、出气口(9，4)，特别是真空室(8)和其内置有的电极均水平设置，电极为射频电极(2)和接地电极(5)，其均为平板状且相互平行设置，射频电极(2)和接地电极(5)外套装有与其平行设置的线圈(1)，进、出气口(9，4)分置于真空室(8)的两端；所述的射频电极(2)位于接地电极(5)的上方，且其面积与接地电极(5)面积相等，所述的接地电极(5)位于射频电极(2)的上方，且其面积为射频电极(2)面积的一半。它能在真空室内的气压小于1毫乇时，仍能被正常地启辉并产生稳定的辉光放电。

基本信息

专利标题：

高密度等离子体增强化学气相淀积与刻蚀设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1952210A

申请号：

CN200510094984.5

公开（公告）日：

2007-04-25

申请日：

2005-10-20

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

邱凯

申请人：

中国科学院合肥物质科学研究院

申请人地址：

230031安徽省合肥市1110信箱

代理机构：

代理人：

优先权：

CN200510094984.5

主分类号：

C23C16/513

IPC分类号：

C23C16/513