化学汽相淀积装置
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种改进的用于沉积均匀薄膜的CVD装置。该装置包括一个反应室，一个底物支持器和多个用于光化CVD的光源，或一对用于等离子体CVD的电极。底物支持器是被光源包围的圆筒形底物加热车，并且是由驱动装置带动绕轴自转。利用这种配置，应用光或等离子体可使装在加热车上的底物及其周围，从而使整个待覆涂表面均匀地进行激发。
基本信息
专利标题 ：
化学汽相淀积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87106283A
申请号 ：
CN87106283.6
公开（公告）日 ：
1988-03-23
申请日 ：
1987-09-09
授权号 ：
CN1020290C
授权日 ：
1993-04-14
发明人 ：
高山彻犬岛乔尾高政一林茂则広濑直树
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
齐曾度
优先权 ：
CN87106283.6
主分类号 ：
C23C16/48
IPC分类号 ：
C23C16/48 C23C16/34
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/48
辐射法，例如光分解、辐射分解、粒子辐射
法律状态
1999-11-03 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-04-14 ：
授权
1989-10-25 ：
实质审查请求
1988-03-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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