一种晶片承载盘及化学气相淀积设备
授权
摘要
本实用新型提供了一种晶片承载盘及化学气相淀积设备，解决了晶片承载盘中间很难进行烘烤，由于温度达不到清洗所需温度，导致石墨盘的清洗不干净的问题。包括：第一盘体，包括第一凹槽；以及设置在所述第一凹槽中的第二盘体，所述第二盘体将所述第一凹槽分割成至少两个晶片承载槽。
基本信息
专利标题 ：
一种晶片承载盘及化学气相淀积设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922319293.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-20
授权号 ：
CN211947213U
授权日 ：
2020-11-17
发明人 ：
刘凯程凯
申请人 ：
苏州晶湛半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室
代理机构 ：
北京布瑞知识产权代理有限公司
代理人 ：
李浩
优先权 ：
CN201922319293.0
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2020-11-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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