通过MOCVD（金属有机化学汽相淀积）法制备ZnO透明导...
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
将廉价的作为杂质包含于低纯度原料二乙基锌中的三乙基铝用作添加剂以降低膜形成的成本。将具有低纯度(99.99－98％或99.99－90％)的二乙基锌用作通过MOCVD(金属有机化学汽相淀积)法制备ZnO透明导电膜的原料。将水蒸气(H2O)用作氧化剂，和将作为杂质包含于所述原料中的三乙基铝用作添加剂(将二硼烷作为添加剂另外加入)，以使所述二乙基锌、所述水蒸气(H2O)和所述三乙基铝(以及所述二硼烷)经历汽相反应，从而制备ZnO透明导电膜。
基本信息
专利标题 ：
通过MOCVD（金属有机化学汽相淀积）法制备ZnO透明导电膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101094935A
申请号 ：
CN200580045339.2
公开（公告）日 ：
2007-12-26
申请日 ：
2005-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
栗谷川悟田中良明
申请人 ：
昭和砚壳石油株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
梁晓广
优先权 ：
CN200580045339.2
主分类号 ：
C23C16/40
IPC分类号 ：
C23C16/40 H01B13/00 H01L31/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/40
氧化物
法律状态
2010-08-25 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101006989804
IPC(主分类) : C23C 16/40
专利申请号 : 2005800453392
公开日 : 20071226
号牌文件序号 : 101006989804
IPC(主分类) : C23C 16/40
专利申请号 : 2005800453392
公开日 : 20071226
2008-02-20 ：
实质审查的生效
2007-12-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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