单处理室淀积系统
专利权的终止
摘要
一种淀积系统包括处理室、在处理室中用于保持工件的工件支架、包含第一材料的第一靶、包含第二材料的第二靶、单个磁体组件以及传送机构，该单个磁体组件设置成可以扫过第一靶和第二靶，以在工件上淀积第一材料和第二材料，该传送机构可以在磁体组件与第一靶或第二靶之间引起相对移动。
基本信息
专利标题 ：
单处理室淀积系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1900351A
申请号 ：
CN200610056851.3
公开（公告）日 ：
2007-01-24
申请日 ：
2006-03-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭信生
申请人 ：
亚升技术公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
王茂华
优先权 ：
CN200610056851.3
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 C23C14/56 C23C14/54
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2016-04-27 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101658321413
IPC(主分类) : C23C 14/34
专利号 : ZL2006100568513
申请日 : 20060309
授权公告日 : 20100609
终止日期 : 20150309
号牌文件序号 : 101658321413
IPC(主分类) : C23C 14/34
专利号 : ZL2006100568513
申请日 : 20060309
授权公告日 : 20100609
终止日期 : 20150309
2010-06-09 ：
授权
2008-08-06 ：
实质审查的生效
2007-01-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1900351A.PDF
PDF下载
2、
CN1900351B.PDF
PDF下载
