一种化学气相淀积反应室用气体注入环
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摘要
本实用新型公开了一种化学气相淀积反应室用气体注入环，包括气体注入环本体、进气旋钮和反应室本体，所述气体注入环本体的内环设置有调节结构，所述调节结构包括喷气管、翻转轴、锁紧螺母、翻转固定座、进气口和波纹管，所述气体注入环本体的内环均匀连通有喷气管，所述喷气管与气体注入环本体之间设置有翻转固定座，本实用新型通过在喷气管的顶端设置有翻转轴，喷气管与翻转轴固定，利用翻转轴可在翻转固定座上进行伸缩，伸缩完成后并利用两侧锁紧螺母进行锁紧，在翻转的同时，由于采用波纹管连接喷气管和气体注入环本体，因此可将喷气管随意翻转，不会造成气体测出的情况，继而改变喷气角度，提升喷气均匀性。
基本信息
专利标题 ：
一种化学气相淀积反应室用气体注入环
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022119865.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-24
授权号 ：
CN213357740U
授权日 ：
2021-06-04
发明人 ：
曹峰峰李得平
申请人 ：
盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市鄞州区云龙镇石桥村
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202022119865.3
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2021-06-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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