气相沉积设备的进气喷淋头

授权

摘要

本实用新型提供一种气相沉积设备的进气喷淋头，包括：气源腔，其内通入带有气相反应前驱体的载气气体；至少一个气体喷淋通道，其与气源腔连通，用于将气源腔内的气体喷出；隔离气体腔底板，其顶面与气源腔的底面之间形成隔离气体腔，该隔离气体腔内通入隔离气体；至少一个隔离气体导流通道，其形成于隔离气体腔底板上，并与隔离气体腔连通，用于将隔离气体腔内的隔离气体喷出；其中，每个气体喷淋通道均插入任意一个隔离气体导流通道中。本实用新型提供的气相沉积设备的进气喷淋头，气体喷淋通道插入隔离气体腔底板上的隔离气体导流通道中，避免反应物在喷淋头附近或者气体喷淋通道上发生预反应，导致预反应产物对喷淋头以及气体喷淋通道造成污染。

基本信息

专利标题：

气相沉积设备的进气喷淋头

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920622058.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-04-30

授权号：

CN210104071U

授权日：

2020-02-21

发明人：

魏鸿源杨少延陈怀浩魏洁

申请人：

中国科学院半导体研究所;南京佑天金属科技有限公司

申请人地址：

北京市海淀区清华东路甲35号

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

马莉

优先权：

CN201920622058.8

主分类号：

C23C16/455

IPC分类号：

C23C16/455