氧化硅沉积方法
公开
摘要
本公开涉及在衬底上沉积氧化硅的方法、形成半导体器件的方法和形成结构的方法。该方法包括：在反应室中提供衬底；在反应室中提供硅前体，硅前体包括连接到至少一个氧原子的硅原子，至少一个氧原子连接到碳原子；以及在反应室中提供包含氢原子的反应物，以在衬底上形成氧化硅。
基本信息
专利标题 ：
氧化硅沉积方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114262878A
申请号 ：
CN202111067315.4
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-09-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
V.沙尔玛D.基亚佩E.托伊斯V.马德希瓦拉M.图米恩C.德泽拉M.吉文斯T.布隆贝格
申请人 ：
ASMIP私人控股有限公司
申请人地址 ：
荷兰阿尔梅勒
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
焦玉恒
优先权 ：
CN202111067315.4
主分类号 ：
C23C16/40
IPC分类号 ：
C23C16/40 C23C16/455 C23C16/505 C23C16/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/40
氧化物
法律状态
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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