电沉积金-碳化硅复合镀层
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
摘要
一种用于继电器触点的抗电浸蚀的耐磨复合镀层，是用电镀方法沉积在铜合金或其他金属基体上、复合镀层中弥散有占镀层体积0.1～10％，粒径小于0.5微米的SiC微粒。这种金基复合镀层具有比纯金高的显微硬度，低的摩擦系数，接触电阻略大于金，但低于金合金，并且耐电浸蚀性、抗腐蚀及抗变色能力强，这种Au-SiC复合镀层可在含有SiC微粒的、氰化物的、酸性的及亚硫酸盐的镀金溶液中获得。
基本信息
专利标题 ：
电沉积金-碳化硅复合镀层
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85100021A
申请号 ：
CN85100021.5
公开（公告）日 ：
1986-01-10
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
CN1004528B
授权日 ：
1989-06-14
发明人 ：
郭鹤桐王兆勇邱训高
申请人 ：
天津大学
申请人地址 ：
天津市南开区七里台
代理机构 ：
天津大学专利代理事务所
代理人 ：
张宏祥
优先权 ：
CN85100021.5
主分类号 ：
H01H1/02
IPC分类号 ：
H01H1/02 C25D15/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01H
电开关；继电器；选择器；紧急保护装置
H01H1/00
触点
H01H1/02
按所用材料区分
法律状态
1991-08-07 ：
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1990-04-04 ：
授权
1989-06-14 ：
审定
1989-04-12 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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