氧化硅的选择性沉积
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摘要
本发明涉及氧化硅的选择性沉积。本发明描述了用于相对于氮化硅表面选择性地在氧化硅表面上沉积氧化硅的方法和设备。方法涉及使用氨和/或氮等离子体预处理衬底表面，并且在热原子层沉积反应中使用氨基硅烷硅前体和氧化剂的交替脉冲选择性地在氧化硅表面上沉积氧化硅，而不在暴露的氮化硅表面上沉积氧化硅。
基本信息
专利标题 ：
氧化硅的选择性沉积
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108425100A
申请号 ：
CN201810151668.4
公开（公告）日 ：
2018-08-21
申请日 ：
2018-02-14
授权号 ：
CN108425100B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
大卫·查尔斯·史密斯丹尼斯·M·豪斯曼
申请人 ：
朗姆研究公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海胜康律师事务所
代理人 ：
樊英如
优先权 ：
CN201810151668.4
主分类号 ：
C23C16/04
IPC分类号 ：
C23C16/04 C23C16/40 C23C16/455 H01L21/02 H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/04
局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2020-03-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/04
申请日 : 20180214
申请日 : 20180214
2018-08-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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