经由原子层沉积(ALD)循环选择性沉积金属硅化物的方法
授权
摘要
本文中提供选择性沉积金属硅化物层的方法。在一些实施方式中，一种方法包括：(a)使基板暴露于前驱物气体，该前驱物气体包含金属卤化物，该基板具有第一层，该第一层包含第一表面和形成在该第一表面中的特征，该特征包含开口，该开口由一个或更多个侧壁和底表面界定，其中该侧壁包含氧化硅或氮化硅，并且其中该底表面包含硅或锗中的至少之一；(b)使用惰性气体净化该处理腔室中的该前驱物气体；(c)使该基板暴露于含硅气体，该含硅气体包含硅烷或硅烷的衍生物；(d)使用惰性气体净化该处理腔室中的该含硅气体；(e)重复(a)‑(d)以沿着该底表面选择性沉积金属硅化物到预定厚度；以及(f)在沉积该金属硅化物层之后对该基板进行退火。
基本信息
专利标题 ：
经由原子层沉积(ALD)循环选择性沉积金属硅化物的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107533962A
申请号 ：
CN201680025185.9
公开（公告）日 ：
2018-01-02
申请日 ：
2016-04-25
授权号 ：
CN107533962B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
赛沙德利·甘古利杨义雄布尚·N·左普付新宇阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯简国强博·郑
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN201680025185.9
主分类号 ：
H01L21/285
IPC分类号 ：
H01L21/285 H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
H01L21/283
用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积
H01L21/285
气体或蒸气的沉积，例如冷凝
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2018-05-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/285
申请日 : 20160425
申请日 : 20160425
2018-01-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN107533962A.PDF
PDF下载
