在含硅表面上的选择性沉积
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摘要

公开了一种用于在衬底上选择性沉积材料的方法,其中该衬底具有至少两个不同的表面,其中一个表面被钝化从而允许在未钝化的表面上选择性沉积。特别地,公开了一种用于制备用于选择性膜沉积的衬底表面的方法,其中所述衬底的表面包含至少第一表面和第二表面,所述第一表面包含SiO2和初始浓度的表面羟基基团,所述第二表面包含SiH,该方法包括以下步骤:使衬底与湿化学组合物接触以获得处理的衬底,其相对于所述初始浓度的表面羟基基团包含增加浓度的表面羟基基团;和将所述处理的衬底加热至约200℃至约600℃的温度,其中所述加热步骤将所述第一表面上的至少一部分的所述表面羟基基团转化为所述衬底的表面上的表面硅氧烷基团。

基本信息
专利标题 :
在含硅表面上的选择性沉积
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110612364A
申请号 :
CN201880030927.6
公开(公告)日 :
2019-12-24
申请日 :
2018-03-16
授权号 :
CN110612364B
授权日 :
2022-04-05
发明人 :
M·A·托德
申请人 :
弗萨姆材料美国有限责任公司
申请人地址 :
美国亚利桑那州
代理机构 :
北京市金杜律师事务所
代理人 :
吴亦华
优先权 :
CN201880030927.6
主分类号 :
C23C16/455
IPC分类号 :
C23C16/455  C23C16/04  
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IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-04-05 :
授权
2020-01-17 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/455
申请日 : 20180316
2019-12-24 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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