用于沉积硅掺杂的氧化铪的制剂
公开
摘要
在一个方面，本发明是包含有机氨基铪和有机氨基硅烷前体化合物两者的制剂，其允许将含硅片段和含铪片段两者锚定到具有羟基的给定表面上以沉积适合于形成铁电材料的具有约3至约5mol％范围的硅掺杂水平的硅掺杂氧化铪。在另一方面，本发明是使用该制剂沉积适于形成铁电材料的硅掺杂氧化铪膜的方法和系统。
基本信息
专利标题 ：
用于沉积硅掺杂的氧化铪的制剂
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114555859A
申请号 ：
CN202080073078.X
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-09-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
M·R·麦克唐纳雷新建金武性李世远
申请人 ：
弗萨姆材料美国有限责任公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那州
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
吴亦华
优先权 ：
CN202080073078.X
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/40
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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