氧化亚硅的气化沉积装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种氧化亚硅的气化沉积装置，包括真空室、第—材料托盘、第二材料托盘、析出基体、反应管、加热源、轴，反应管位于真空室内，加热源位于真空室内，轴的至少一部分位于反应管内，第—材料托盘、第二材料托盘以及析出基体分别安装在轴上，所述第—材料托盘、第二材料托盘分别呈弓形，第—材料托盘和第二材料托盘错位安装。本实用新型能够提升氧化亚硅的品质。
基本信息
专利标题 ：
氧化亚硅的气化沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022225348.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-08
授权号 ：
CN214059925U
授权日 ：
2021-08-27
发明人 ：
袁正秋许曙光禹方甜
申请人 ：
孚林（常州）新材料科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市新北区信息大道6号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202022225348.4
主分类号 ：
C01B33/113
IPC分类号 ：
C01B33/113
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/113
氧化硅；其水合物
法律状态
2021-08-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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