氧化铝层的沉积
公开
摘要
本发明涉及氧化铝蚀刻停止层的沉积。特征为介电常数(k)小于约7(例如介于约4‑6之间)和密度至少约2.5g/cm3(例如介于约3.0‑3.2g/cm3之间)的氧化铝膜被沉积在部分制造的半导体器件上在金属和电介质上以用作蚀刻停止层。使用不会导致金属的氧化损坏的沉积方法沉积膜。沉积涉及使含铝前体(例如三烷基铝)与醇和/或烷氧基铝反应。在一个实现方式中，该方法涉及使三甲基铝流动到容纳具有暴露的金属和电介质层的衬底的处理室；清扫和/或排空处理室；使叔丁醇流动到处理室，并使其与三甲基铝反应以形成氧化铝膜，并重复这些工艺步骤，直至形成所需厚度的膜。
基本信息
专利标题 ：
氧化铝层的沉积
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582709A
申请号 ：
CN202210047507.7
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2017-11-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
梅里哈·歌德·兰维尔纳格拉杰·尚卡尔卡普·斯里什·雷迪丹尼斯·M·豪斯曼
申请人 ：
朗姆研究公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海胜康律师事务所
代理人 ：
樊英如
优先权 ：
CN202210047507.7
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/3205 H01L21/3213 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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