钼沉积
实质审查的生效
摘要
提供以钼(Mo)来填充图案化特征的方法。该方法涉及在包含介电侧壁的特征的底部含金属表面上选择性沉积钼(Mo)膜。在该底部表面上选择性生长Mo使得能进行从下到上的生长以及高质量无孔洞的填充。还提供了相关的装置。
基本信息
专利标题 ：
钼沉积
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114342062A
申请号 ：
CN202080062173.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗郑硕谢耀宗照健·史蒂文·黎帕特里克·范克利蒙布特
申请人 ：
朗姆研究公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海胜康律师事务所
代理人 ：
樊英如
优先权 ：
CN202080062173.X
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 C23C16/14 C23C16/455
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20200901
申请日 : 20200901
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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