一种基于硅基的砷化镓射频芯片封装结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及集成电路封装技术领域，具体涉及一种基于硅基的砷化镓射频芯片封装结构及其制备方法，包括：第一硅基底：第一硅基底的上表面设有第一金属层；第二硅基底：第二硅基底上分别设有TSV结构、芯片腔体和砷化镓射频芯片，其第二硅基底的下表面设有第二金属层，砷化镓射频芯片有源面朝外埋入芯片腔体中；介质层：介质层覆盖在第二硅基底的上表面；特征通孔：特征通孔图形化设置在介质层中；布线层：布线层设置在介质层的上表面，砷化镓射频芯片背金接地面通过导电粘结层和金属键合层实现芯片背金接地面与外部TSV金属通孔的连接，通过外部TSV金属通孔将芯片背金面接地信号端引出到芯片有源面同一平面，再通过对晶圆再布线形成扇出型封装体。
基本信息
专利标题 ：
一种基于硅基的砷化镓射频芯片封装结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267662A
申请号 ：
CN202111473559.2
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-11-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张鹏耿雪其王成迁
申请人 ：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
代理机构 ：
无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
叶昕
优先权 ：
CN202111473559.2
主分类号 ：
H01L23/538
IPC分类号 ：
H01L23/538 H01L23/498 H01L25/07 H01L21/768 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538
制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/538
申请日 : 20211129
申请日 : 20211129
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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