离子注入砷化镓吸收镜
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种离子注入砷化镓吸收镜，其特征在于，其中包括：一半绝缘砷化镓衬底；一高反膜，在半绝缘衬底的背面镀有高反膜；一吸收区，该吸收区是通过砷离子注入到衬底上并且退火而产生；一增透膜，该增透膜制作在吸收区上。本发明可用于波长为一微米附近的固体激光器和光纤激光器被动调Q和锁模，实现短脉冲或者超短脉冲激光的输出。
基本信息
专利标题 ：
离子注入砷化镓吸收镜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1941524A
申请号 ：
CN200510105264.4
公开（公告）日 ：
2007-04-04
申请日 ：
2005-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
马晓宇王勇刚
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
100083北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汤保平
优先权 ：
CN200510105264.4
主分类号 ：
H01S3/08
IPC分类号 ：
H01S3/08 H01S3/098 H01S3/11 H01S3/127
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法律状态
2008-10-01 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-05-30 ：
实质审查的生效
2007-04-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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