砷化镓衬底上的混合并质外延
专利申请的视为撤回
摘要
本发明属于一种采用气相外延与液相外延的混合外延方法，在砷化镓衬底上异质外延磷化铟和晶格匹配于磷化铟的III-V族多元化合物半导体材料，通过采用准平衡回熔技术，在砷化镓衬底上生长出晶格匹配的磷化铟、铟镓砷和铟镓砷磷III-V族多元化合物半导体，使这类材料的成本大为降低并具有性能好、满足器件实用要求的优点，尤其适用于光纤通信中的半导体激光器、光探测器以及微电子学等领域中的器件制造。
基本信息
专利标题 ：
砷化镓衬底上的混合并质外延
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1053146A
申请号 ：
CN91100620.6
公开（公告）日 ：
1991-07-17
申请日 ：
1991-02-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李晋闽郭里辉侯洵
申请人 ：
中国科学院西安光学精密机械研究所
申请人地址 ：
710068陕西省西安市友谊西路234号
代理机构 ：
中国科学院西安专利事务所
代理人 ：
顾伯勋
优先权 ：
CN91100620.6
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 H01L21/208 C30B19/00 C30B25/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
1995-04-19 ：
专利申请的视为撤回
1991-07-17 ：
公开
1991-06-19 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
