多层外延砷化镓的双源法和装置
被视为撤回的申请
摘要
本发明属于掺杂的气相化学淀积技术领域。为解决掺Te或掺Sn GaAs多层结构的制作，把重掺Te或Sn的GaAs单晶切片置于氯化物系统镓源后的腐蚀区作杂源，用磁拉方法改变两源的温度，以进行多层生长。用将衬底磁拉至微腐蚀区的方法，避开为生长新层而在反应管内建立新的气相组分过程中所引起的缓变层的生长。本法成本低，操作简便、安全，质量重复可靠。
基本信息
专利标题 ：
多层外延砷化镓的双源法和装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86104689A
申请号 ：
CN86104689
公开（公告）日 ：
1988-01-27
申请日 ：
1986-07-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨韧
申请人 ：
杨韧
申请人地址 ：
北京市650信箱
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN86104689
主分类号 ：
H01L21/223
IPC分类号 ：
H01L21/223 H01L21/205 C30B31/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/22
杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂
H01L21/223
应用从气相向固体或从固体向气相的扩散法
法律状态
1989-11-29 ：
被视为撤回的申请
1988-01-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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