本实用新型涉及一种水平砷化镓单晶双舟生长的装置。一种水平砷化镓单晶双舟生长的装置包括：石英管；位于石英管内上部的上石英舟；位于石英管内下部的下石英舟；至少一个闭合支撑环；以及至少一个C型支撑件，至少一个支撑桥；其中，上石英舟和下石英舟的端部都设有籽晶腔，并且上石英舟和下石英舟的籽晶腔位于石英管的同一端；下石英舟的籽晶腔穿过闭合支撑环，并且上石英舟的籽晶腔支撑在闭合支撑环的上方；一个C型支撑件与一个支撑桥配合形成闭合孔，下石英舟穿过闭合孔，并且上石英舟支撑在所述支撑桥的上方。本实用新型采用双舟设计，一次可生产两根单晶，相比现有技术提高了生产效率。